Producent = NTE Electronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 60V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 45m?; Prąd drenu = 35A; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Moc rozpraszana = 125W; Prąd drenu w impulsie = 152A
Dbamy o Twoją prywatność
Dzięki plikom cookies i technologiom pokrewnym oraz przetwarzaniu Twoich danych, możemy zapewnić, że dopasujemy do Ciebie wyświetlane treści.Wyrażając zgodę na przechowywanie informacji na urządzeniu końcowym lub dostęp do nich i przetwarzanie danych (w tym w obszarze profilowania, analiz rynkowych i statystycznych) sprawiasz, że łatwiej będzie odnaleźć Ci w Allegro dokładnie to, czego szukasz i potrzebujesz.Administratorem Twoich danych będzie Allegro oraz niektórzy partnerzy, z którymi współpracujemy.
Ułatwienia korzystania z naszych stron, prezentowania spersonalizowanych treści i reklam oraz ich pomiaru, tworzenia statystyk, poprawy funkcjonalności strony.Zgodę wyrażasz dobrowolnie. Możesz ją w każdym momencie wycofać lub ponowić w zakładce Ustawienia plików cookies na stronie głównej. Wycofanie zgody nie wpływa na legalność uprzedniego przetwarzania.
polityka plików cookiespolityka ochrony prywatnościSprzedający gzz_pl
poleca 98,20%
|
770
Korzystanie z serwisu oznacza akceptację regulaminu.