Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 30V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 120A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 2,4m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 664A