Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie dren-źródło = 100V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 11A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,11?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 33W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 29,3nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany