Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 40V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 317A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,6m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 294W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 216nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Nazwa handlowa = StrongIRFET