Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 60V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 160A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4,2m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 230W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 85nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany