IRF1404 N-Channel MOSFET 162A 40V TO220 TRANZYSTOR
Tranzystor IRFIRF1404 jest częścią rodziny HEXFET, która oferuje wysoką wydajność i doskonałe parametry elektryczne. Jego główne cechy to wysoki prąd drenu, osiągający 190A, oraz napięcie dren-źródło wynoszące 40V. Tranzystor jest idealny do zastosowań wymagających dużych prądów, takich jak układy zasilania, przekształtniki, silniki elektryczne i wiele innych.
Dzięki niskiej rezystancji w stanie przewodzenia (3.7mΩ), tranzystor ma małe straty mocy i generuje niewielką ilość ciepła. Obudowa TO220AB ułatwia montaż i zapewnia efektywne chłodzenie, co przyczynia się do stabilności pracy i długiej żywotności.
Napięcie bramka-źródło wynoszące 20V oznacza, że tranzystor może być sterowany bezpiecznie za pomocą napięcia bramkowego do 20V. Wartość rezystancji termicznej złącze-obudowa (650mK/W) informuje o zdolności tranzystora do rozpraszania ciepła z drenu na obudowę, co wpływa na temperaturę pracy.
Tranzystor IRF1404 zapewnia również łatwy montaż dzięki technologii THT (Through-Hole Technology), która umożliwia bezpośrednie lutowanie na płytce drukowanej.
- Typ tranzystora: N-MOSFET
- Polaryzacja: Unipolarny
- Rodzaj tranzystora: HEXFET
- Napięcie dren-źródło (VDS): 40V
- Prąd drenu (ID): 190A
- Moc: 220W
- Obudowa: TO220AB
- Napięcie bramka-źródło (VGS): 20V
- Rezystancja w stanie przewodzenia: 3.7mΩ
- Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 650mK/W
- Montaż: THT (Through-Hole Technology)
- Ładunek bramki: 100nC
Zachęcamy do zapoznania się z naszymi innymi atrakcyjnymi ofertami! Oferujemy szeroki wybór wysokiej jakości produktów, które mogą spełnić różnorodne potrzeby.
Dziękujemy za zainteresowanie naszymi produktami i czekamy na Twoją kolejną wizytę!