Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie dren-źródło = 200V; Prąd drenu = 9,45A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,16?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 25W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Technologia = MESH OVERLAY™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V