Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = SMD; Obudowa = SOT26; Napięcie dren-źródło = 20/-20V; Prąd drenu = 1,14/-1,34A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,4/0,7?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,12W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Rodzaj tranzystora = para komplementarna; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±6V