DIMM 8 GB DDR4-2666, Arbeitsspeicher
413,00
IDIGUN22
Mushkin MSL4U266KF8G jest modułem pamięci 8 GB DDR4-2666 (PC4-21300) ze srebrnymi. Moduł 288-pin obsługuje latencji 19-19-19-43 na 2666 MHz i wymaga 1,2 woltów. Intel XMP w wersji 2.0 jest obsługiwany
Największa szczegóły.;
Wpisz SDRAM DDR4
Kolor srebrny
< p> EAN 0846651027801
Producent nie. MSL4U266KF8G
srebro serii linii
pojemność 8 PL
1 Numer kawałek
Rodzaj DIMM
złącze 288, kołek
napięcia 1,2 V
średnia DDR4-2666 (PC4-21300)
zegara fizyczne 1.333 MHz
czasy latencji CAS (CL) 19
RAS do CAS opóźnieniem (tRCD) 19
Ras czas wstępnego ładowania (t RP) 19
Wiersz aktywny czasu (t RAS) 43
funkcja XMP 2.0
Aby uzyskać więcej informacji DDR4 jest ewolucja DDR3 i oferuje ponad jego poprzednik, szereg nowych cech i korzyści, takich jak: do 40% zmniejszenie zużycia energii, wyższe prędkości obrotowe, wyższa gęstość danych (pozwala na moduły pamięci o pojemności do 128 GB, przyszłości do 512 D), a także zwiększenie trwałości podczas pracy, za zaawansowanych technik korekcji błędu, takie jak CRC (Cyclic Redundancy Check), (CMD / ADD Wykrywanie parzystości w układzie) i "adresowalność DRAM".
;
______________________
Opis oryginalny:
Das Mushkin MSL4U266KF8G ist ein 8-GB-DDR4-2666-Speichermodul (PC4-21300) aus der Silverline Serie. Das 288-Pin Modul unterstützt eine Latenz von 19-19-19-43 bei 2666 MHz und benötigt 1,2 Volt Spannung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.
Detalis:
Typ SDRAM-DDR4
Farbe silber
EAN 0846651027801
Hersteller-Nr. MSL4U266KF8G
Serie Silverline
Kapazität 8 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1.2 Volt
Standard DDR4-2666 (PC4-21300)
Physikalischer Takt 1333 MHz
Timings CAS Latency (CL) 19
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 19
RAS-Precharge-Time (tRP) 19
Row-Active-Time (tRAS) 43
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".