DIMM 8 GB DDR4-2133, Arbeitsspeicher
391,00
IDIG5H30
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 jest modułem pamięci 8 GB DDR4-2133 (PC4-17000) z serii Value Select. 288-pinowy moduł DIMM nadaje się do użytku w komputerach stacjonarnych z odpowiednimi gniazdami. Moduł obsługuje latencji 15-15-15-36 na 2133 MHz i wymaga 1,2 V
Największa Szczegóły.; typu SDRAM -DDR4
EAN 0843591052955
Nr ref. CMV8GX4M1A2133C15
Seria ValueSelect
pojemność 8 PL
1 Numer kawałek
Rodzaj DIMM
wyposażenia dwa boki < / p>
Linia 288-pin
napięcia 1,2 V
standardowe DDR4-2133 (PC4-17000)
częstotliwości 1066 MHz fizyczne </ p > czasy latencji CAS (Cl) 15
RAS do CAS opóźnieniem (tRCD) 15
Ras czas wstępnego ładowania (t RP) 15
< p> wiersz Active Time (t RAS) 36
Aby uzyskać więcej informacji DDR4 jest ewolucja DDR3 i oferuje ponad jego poprzednik, szereg nowych cech i korzyści, takich jak: do 40% zmniejszenie zużycia energii, wyższe prędkości obrotowe, wyższa gęstość danych (pozwala na moduły pamięci o pojemności do 128 GB, przyszłości do 512 D), a także zwiększenie trwałości podczas pracy, za zaawansowanych technik korekcji błędu, takie jak CRC (Cyclic Redundancy Check), (CMD / ADD Wykrywanie parzystości w układzie) i "Adresowanie Per DRAM"
______________________
Opis oryginalny:
Das Corsair CMV8GX4M1A2133C15 ist ein 8-GB-DDR4-2133-Speichermodul (PC4-17000) aus der ValueSelect-Serie. Das 288-Pin-DIMM ist für den Einsatz in Desktoprechnern mit entsprechenden Steckplätzen geeignet. Das Modul unterstützt Latenzen von 15-15-15-36 bei 2133 MHz und benötigt 1,2 Volt Spannung.
Detalis:
Typ SDRAM-DDR4
EAN 0843591052955
Hersteller-Nr. CMV8GX4M1A2133C15
Serie Value Select
Kapazität 8 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform DIMM
Bestückung zweiseitig
Anschluss 288-Pin
Spannung 1.2 Volt
Standard DDR4-2133 (PC4-17000)
Physikalischer Takt 1066 MHz
Timings CAS Latency (CL) 15
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 15
RAS-Precharge-Time (tRP) 15
Row-Active-Time (tRAS) 36
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability"