DIMM 4 GB DDR4-2666 DR, Arbeitsspeicher
279,00
ICIGCN24
Decydującym BLS4G4D26BFSB to moduł 4 PL DDR4-2666 pamięci (PC4-21328) z serii Ballistix Sport LT. 288-pinowy niebuforowany moduł DIMM obsługuje taktowanie 16-18-18 przy 2666 MHz i wymaga 1,2 V napięcia. Intel XMP profil 2.0 jest obsługiwany
Największa szczegóły.;
Wpisz SDRAM DDR4
szary
< p> EAN 0649528781628
Producent nie. BLS4G4D26BFSB
Seria Ballistix Sport LT
Pojemność 4 GB
Ilość 1 szt
Typ DIMM
Pamięć gęstość danych Chip 4096 Mbitów na układzie pamięci
organizacja 512Mx8
Linia 288-pin
napięcia 1,2 V
średnia DDR4-2666 (PC4-21328)
zegar fizyczne 1.333 MHz
czasy latencji CAS (Cl) 16
opóźnienie RAS do CAS (tRCD) 18
RAS precharge czas (t RP) 18
funkcja XMP 2.0
Aby uzyskać więcej informacji DDR4 jest ewolucja DDR3 i oferuje ponad jego poprzednik, szereg nowych cech i korzyści, takich jak: do 40% zmniejszenie zużycia energii, wyższe prędkości obrotowe, wyższa gęstość danych (pozwala na moduły pamięci o pojemności do 128 GB, przyszłości do 512 D), a także zwiększenie trwałości podczas pracy, za zaawansowanych technik korekcji błędu, takie jak CRC (Cyclic Redundancy Check), (CMD / ADD Wykrywanie parzystości w układzie) i "adresowalność DRAM".
;
______________________
Opis oryginalny:
Das Crucial BLS4G4D26BFSB ist ein 4-GB-DDR4-2666-Speichermodul (PC4-21328) aus der Ballistix Sport LT Serie. Das 288-pin-unbuffered-DIMM unterstützt Timings von 16-18-18 bei 2666 MHz und benötigt 1,2 V Spannung. Intels XMP 2.0 Profil wird unterstützt.
Detalis:
Typ SDRAM-DDR4
Farbe grau
EAN 0649528781628
Hersteller-Nr. BLS4G4D26BFSB
Serie Ballistix Sport LT
Kapazität 4 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform DIMM
Speicherchips Datendichte 4096 Mbit pro Speicherchip
Organisation 512Mx8
Anschluss 288-Pin
Spannung 1.2 Volt
Standard DDR4-2666 (PC4-21328)
Physikalischer Takt 1333 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".