Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzystora
N-MOSFET
Technologia
CoolMOS™
Polaryzacja
unipolarny
Napięcie dren-źródło
650V
Prąd drenu
20,7A
Moc rozpraszana
208W
Obudowa
PG-TO263-3
Napięcie bramka-źródło
±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia
0,19Ω
Montaż
SMD