Dbamy o Twoją prywatność
Dzięki plikom cookies i technologiom pokrewnym oraz przetwarzaniu Twoich danych, możemy zapewnić, że dopasujemy do Ciebie wyświetlane treści.Wyrażając zgodę na przechowywanie informacji na urządzeniu końcowym lub dostęp do nich i przetwarzanie danych (w tym w obszarze profilowania, analiz rynkowych i statystycznych) sprawiasz, że łatwiej będzie odnaleźć Ci w Allegro dokładnie to, czego szukasz i potrzebujesz.Administratorem Twoich danych będzie Allegro oraz niektórzy partnerzy, z którymi współpracujemy.
Ułatwienia korzystania z naszych stron, prezentowania spersonalizowanych treści i reklam oraz ich pomiaru, tworzenia statystyk, poprawy funkcjonalności strony.Zgodę wyrażasz dobrowolnie. Możesz ją w każdym momencie wycofać lub ponowić w zakładce Ustawienia plików cookies na stronie głównej. Wycofanie zgody nie wpływa na legalność uprzedniego przetwarzania.
polityka plików cookiespolityka ochrony prywatności- 67,65 zł
- SAMSUNG 8GB 1Rx4 PC3L-12800R M393B1G70QH0-YK0
- 82,65 zł z dostawą
- 59,99 zł
- Samsung 8GB 2Rx4 PC3L-10600R M393B1K70DH0-YH9Q8
- 69,98 zł z dostawą
- 166,00 zł
- SAMSUNG 4GB 2Rx8 PC3L-10600E M391B5273CH0-YH9
- 174,99 zł z dostawą
Samsung 4 GB 2Rx8 PC3 12800S 11-11-F3 (6687814685)
Opis
Pamięć RAM 4GB do laptopa.
Zasilanie 1,5V
JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply
• VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin, 933MHz fCK for 1866Mb/sec/pin
• 8 independent internal bank
• Programmable CAS Latency: 5,6,7,8,9,10,11,13
• Programmable Additive Latency(Posted CAS) : 0, CL - 2, or CL - 1 clock
• Programmable CAS Write Latency(CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600) and 9 (DDR3-1866)
• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]
• Bi-directional Differential Data Strobe
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
• Asynchronous Reset
http://cdn.samsung.com/semiconductor/global/file/product/ds_ddr3_2gb_e-die_based_sodimm_rev12-0.pdf
Sprawdzone programem diagnostycznym Dell - 100% sprawne.
W przypadku kłopotów np. złego dobrania pamięci daję 7 dniową rękojmię. Zwrócę pieniądze (odesłanie na koszt kupującego)
Dlatego proszę sprawdzić, czy pamięć będzie pasować do danego modelu laptopa.
Działała w Dell E6430.
Nie wystawiam faktur VAT
Korzystanie z serwisu oznacza akceptację regulaminu.